Nvidia 與三星合作研發鐵電 NAND 技術，提升 AI 加速器效能並降低功耗

AI 資料中心的算力需求快速攀升，記憶體供應與耗電量已成為擴建瓶頸。輝達與三星電子因此合作研發鐵電 NAND，利用高速、低功耗特性改善資料傳輸效率，並強化 AI 加速器的記憶體堆疊能力，降低對既有 NAND 供應體系的依賴。

截至 2026 年 7 月 19 日，相關報導指出鐵電 NAND 預計導入輝達下一代 Vera Rubin AI 加速器，最高可降低 96% 功耗；AI 模型也讓技術分析速度提升近 1 萬倍。不過輝達與三星電子尚未公布投資金額、正式量產日期及完整產品規格。