NEO發表新一代AI晶片記憶體技術X-SRAM 突破半導體瓶頸

生成式 AI 模型規模持續擴大，晶片內建 SRAM 的容量、面積與資料搬移功耗，已成為 AI 加速器提升效能的關鍵瓶頸。矽谷記憶體技術公司 NEO Semiconductor 因此把高密度、低功耗記憶體列為 NEO.AI 平台核心，盼在不擴大晶片面積下增加快取容量。

NEO Semiconductor 於 2026 年 8 月 5 日在美國加州聖塔克拉拉舉行的 FMS 2026 發表 X-SRAM，宣稱相較傳統 SRAM 最高可達 5 倍記憶體密度，並降低存取功耗。宏碁創辦人施振榮稱其為突破 AI 記憶體瓶頸的新方向；公司尚未公布量產時程、客戶或投資金額。