AI 伺服器對高頻寬記憶體（HBM）的需求升溫，使記憶體從一般零組件轉為 AI 基礎建設的關鍵瓶頸。Roundhill Memory ETF（DRAM）讓投資人集中布局 HBM、DRAM、NAND 與企業級儲存供應商，但曝險遠比半導體大盤基金集中。
Roundhill Investments 於 2026 年 4 月 2 日在 Cboe BZX 推出 DRAM，初期僅持有 9 家公司；三星電子、SK 海力士與美光科技權重各約 24%至25%，合計接近四分之三。基金年費用率為 0.65%，高於 SOXX 的 0.33%，且須承受記憶體價格循環、單一持股及交換合約風險。
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這個事件的歷史脈絡首檔純記憶體 ETF 「DRAM」美股掛牌，鎖定 AI 供應鏈核心企業
生成式 AI 的訓練與推論推升高頻寬記憶體（HBM）、DRAM、NAND 與 SSD 用量，記憶體已成資料中心效能與供應鏈瓶頸。Roundhill Investments 因此推出首檔聚焦全球記憶體業者的主動式 ETF，提供有別於廣泛半導體基金的布局管道。
Roundhill Memory ETF（代號 DRAM）於 2026 年 4 月 2 日在 Cboe BZX 掛牌，年總費用率為 0.65%。4 月 1 日持股資料顯示，三星、SK 海力士及美光權重分別為 24.99%、24.22%與 23.83%，合計 73.04%；南亞科與華邦電則占 3.95%及 2.35%。
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