SK 海力士加碼投資 P&T7 先進封裝廠，應對 AI 用 HBM 短缺

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器快速存取大量資料的關鍵元件，需求隨生成式 AI 與資料中心投資升溫。韓國記憶體大廠 SK 海力士赴美布局先進封裝，可望強化對輝達等客戶的供應能力，也反映美國透過《晶片法案》推動半導體供應鏈在地化。

SK 海力士將於 8 月 27 日為印第安納州先進封裝廠舉行動土儀式，計畫投資 38.7 億美元，並獲美國《晶片法案》資助。新廠鎖定 AI 應用所需的 HBM，預計 2028 年下半年開始量產，藉此搶攻成長中的 AI 記憶體市場並深化供應鏈合作。

AI伺服器與資料中心快速擴張，推升高頻寬記憶體（HBM）及企業級NAND需求，也使先進記憶體產能成為AI基礎設施競爭核心。SK海力士身為主要記憶體供應商，這波擴產不僅牽動未來供應與價格，也反映公司認為AI需求已成為長期結構性趨勢。

SK海力士於2026年8月7日表示，董事會核准至2031年投資54.3兆韓元（約384億美元），其中35.2兆韓元投入龍仁Y2廠、19.1兆韓元投入清州M17廠，分別生產HBM等先進DRAM與企業級NAND。兩廠無塵室預計2029年起啟用，龍仁叢集完工目標也由2045年提前至2033年。

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器快速存取資料的關鍵零組件，隨全球資料中心擴建而供不應求。SK 海力士目前掌握約 60% HBM 市場，正以先進封裝與新世代產品鞏固優勢，並與三星電子、美光競逐大型雲端業者訂單。

SK 集團會長崔泰源近日承諾大幅提高 SK 海力士 HBM 產量，並加速最新 HBM4 進入量產，以縮小 AI 晶片供需缺口。他指出新增晶圓產能至少需四年，全球供應吃緊可能延續至 2030 年；相關報導未揭露擴產投資金額與明確投產日期。