SK 海力士承諾大幅提高 HBM 產量以因應 AI 需求激增

隨著人工智慧運算需求激增，高頻寬記憶體（HBM）成為決定AI晶片效能的關鍵技術。身為全球半導體巨頭的南韓大廠SK海力士，在與AI晶片龍頭輝達（NVIDIA）的合作中佔據核心地位。最新一代的HBM4技術不僅是AI伺服器的技術指標，更是各大記憶體廠商爭奪市場主導權的決定性戰場，對全球AI產業鏈具有指標性意義。

SK海力士已正式啟動針對輝達下一代AI平台Vera Rubin的12層堆疊HBM4量產出貨。藉由雙方簡化驗證與緊急生產，出貨時程大幅縮短，預計自2026年9月起將顯著擴大規模。市場估算SK海力士有望拿下輝達HBM4約60%至70%的供貨占比，在與三星及美光的全球商業化競爭中持續保持領先地位。

隨人工智慧產業爆發，高頻寬記憶體（HBM）成為AI晶片關鍵零組件。南韓政府於2026年6月宣布規模達800兆韓元的半導體投資計畫，預計在2030年前將SK海力士與三星的DRAM產能翻倍。作為HBM龍頭的SK海力士，其產能擴增速度攸關全球AI晶片巨頭的供應鏈穩定，也牽動整體半導體產業的供需結構。

美國銀行於2026年7月發布報告指出，受限於技術與建廠瓶頸，SK海力士至2028年的新增記憶體產能恐僅達規劃的六分之一，且新廠全面營運需耗時10年。這使該公司2030年產能翻倍的目標面臨挑戰，不僅直接拖累其轉型HBM等AI關鍵零組件的進度，還面臨價格操縱訴訟，讓記憶體市場供給吃緊的態勢恐將延續。

記憶體巨頭 SK 海力士決定延後第六代高頻寬記憶體 HBM4 的量產與產線轉換排程，將產能轉向目前供需吃緊且利潤率更高的一般型 DRAM 市場。此策略轉變旨在鞏固公司獲利結構，但同時也為競爭對手三星電子在 HBM 市場創造了追趕的空間。

SK 海力士宣布已向主要客戶提供 12 層堆疊的 HBM4E 記憶體樣品，引腳傳輸速率達 16Gbps，能效比前代提升 20% 以上。該產品採用先進 MR-MUF 封裝技術，旨在解決下一代 AI 資料中心與大規模運算系統的效能瓶頸。

SK 海力士董事長崔泰源表示，為滿足 AI 運算對記憶體晶片的需求，計劃在 2034 年前將晶圓產能擴大至目前的三倍。公司已將韓國龍仁市晶圓廠的建設時程提前 10 年，並考慮未來在日本等具備完整半導體生態系的海外地點增設新廠。

受惠於 AI 浪潮帶動的高頻寬記憶體（HBM）強勁需求，韓國記憶體大廠 SK 海力士市值正式突破 1 兆美元大關。作為輝達（NVIDIA）的主要供應商，SK 海力士被視為生成式 AI 與高效能運算擴張下的重要受益者，股價近期更創下歷史新高。

南韓 KBS 電視台歷史性獲准進入 SK 海力士 M16 晶圓廠，揭開 24 小時運轉的高頻寬記憶體（HBM）產線。隨著 AI 需求爆發，海力士憑藉與 Nvidia 的合作關係與技術拚搏，成功從市場低谷翻身成為 AI 產業鏈的核心霸主。

為了解決 AI 市場需求導致的高頻寬記憶體（HBM）短缺，SK 海力士宣布投資建設 P&T7 先進封裝廠，預計 2027 年完工。該設施將導入晶圓級封裝（WLP）產線，成為生產先進 AI 記憶體的核心據點，以鞏固其在 AI 基礎設施領域的領導地位。

三星電子宣布將大幅提升高頻寬記憶體產能，預計讓次世代 HBM4 在整體產量中佔比超過一半，以配合輝達 AI 晶片的發布週期。三星亦首度公開技術藍圖，計畫在未來的 HBM5 世代全面導入 2 奈米先進製程，確保在 AI 硬體供應鏈的競爭力。

SK 海力士在 2025 年投入 6.7 兆韓圜於研發項目，較前一年成長 35%，旨在因應 AI 基礎設施對高頻寬記憶體（HBM）的強勁需求。該公司已獲選為 Nvidia 下一代 Vera Rubin AI 平台供應約三分之二的 HBM4 晶片。