高頻寬記憶體(HBM)是 AI 加速器快速存取資料的關鍵零組件,隨全球資料中心擴建而供不應求。SK 海力士目前掌握約 60% HBM 市場,正以先進封裝與新世代產品鞏固優勢,並與三星電子、美光競逐大型雲端業者訂單。
SK 集團會長崔泰源近日承諾大幅提高 SK 海力士 HBM 產量,並加速最新 HBM4 進入量產,以縮小 AI 晶片供需缺口。他指出新增晶圓產能至少需四年,全球供應吃緊可能延續至 2030 年;相關報導未揭露擴產投資金額與明確投產日期。
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這個事件的歷史脈絡SK 海力士美廠動土 鎖定 AI 記憶體 HBM 預計 2028 年量產
高頻寬記憶體(HBM)是 AI 加速器快速存取大量資料的關鍵元件,需求隨生成式 AI 與資料中心投資升溫。韓國記憶體大廠 SK 海力士赴美布局先進封裝,可望強化對輝達等客戶的供應能力,也反映美國透過《晶片法案》推動半導體供應鏈在地化。
SK 海力士將於 8 月 27 日為印第安納州先進封裝廠舉行動土儀式,計畫投資 38.7 億美元,並獲美國《晶片法案》資助。新廠鎖定 AI 應用所需的 HBM,預計 2028 年下半年開始量產,藉此搶攻成長中的 AI 記憶體市場並深化供應鏈合作。
SK海力士財報揭示HBM產能轉移與AI加速器記憶體市場重組
高頻寬記憶體(HBM)已成為 NVIDIA 等 AI 加速器的核心零組件,每代晶片搭載容量持續增加,卻也開始排擠獨立 server DRAM 模組需求。這項轉變牽動 SK 海力士、三星電子與美光的產品組合,意味業者難再同時仰賴 HBM 高毛利與傳統 DRAM 缺貨漲價,維持過去的雙重獲利模式。
SK 海力士7月29日公布2026年第二季營收79.32兆韓元、營業利益60.54兆韓元,年增257%與557%。公司第二季已開始大量出貨 HBM4,並規劃下半年擴產,且與約10家客戶簽訂長期協議;財報也讓市場轉向檢視 HBM 與 server DRAM 的需求重分配,美光若無法調整產能與產品組合,壓力將最先浮現。
SK海力士受惠AI熱潮 HBM需求強勁帶動Q2獲利創新高
SK海力士憑藉高頻寬記憶體(HBM)領先優勢,成為AI加速器與資料中心擴建的主要受惠者。HBM、伺服器DRAM及企業級SSD需求,加上記憶體漲價,正推動新一輪超級循環;KB證券估全球科技公司與AI資料中心客戶占第二季營收約70%。
SK海力士7月29日公布2026年第二季營收79.32兆韓圜、營業利益60.54兆韓圜,年增257%與557%,營業利益率76%;淨利93.92兆韓圜、淨利率118%,均創單季新高。不過營收與營益低於14家券商原估的84.1兆與64.1兆韓圜,紀錄財報仍未跨過市場高標。
SK海力士量產12層HBM4,估獲輝達逾六成訂單
隨著人工智慧運算需求激增,高頻寬記憶體(HBM)成為決定AI晶片效能的關鍵技術。身為全球半導體巨頭的南韓大廠SK海力士,在與AI晶片龍頭輝達(NVIDIA)的合作中佔據核心地位。最新一代的HBM4技術不僅是AI伺服器的技術指標,更是各大記憶體廠商爭奪市場主導權的決定性戰場,對全球AI產業鏈具有指標性意義。
SK海力士已正式啟動針對輝達下一代AI平台Vera Rubin的12層堆疊HBM4量產出貨。藉由雙方簡化驗證與緊急生產,出貨時程大幅縮短,預計自2026年9月起將顯著擴大規模。市場估算SK海力士有望拿下輝達HBM4約60%至70%的供貨占比,在與三星及美光的全球商業化競爭中持續保持領先地位。
SK海力士記憶體擴產面臨瓶頸挑戰AI晶片供應
隨人工智慧產業爆發,高頻寬記憶體(HBM)成為AI晶片關鍵零組件。南韓政府於2026年6月宣布規模達800兆韓元的半導體投資計畫,預計在2030年前將SK海力士與三星的DRAM產能翻倍。作為HBM龍頭的SK海力士,其產能擴增速度攸關全球AI晶片巨頭的供應鏈穩定,也牽動整體半導體產業的供需結構。
美國銀行於2026年7月發布報告指出,受限於技術與建廠瓶頸,SK海力士至2028年的新增記憶體產能恐僅達規劃的六分之一,且新廠全面營運需耗時10年。這使該公司2030年產能翻倍的目標面臨挑戰,不僅直接拖累其轉型HBM等AI關鍵零組件的進度,還面臨價格操縱訴訟,讓記憶體市場供給吃緊的態勢恐將延續。
SK海力士放緩HBM4擴產轉攻一般DRAM市場
SK 海力士是全球主要記憶體供應商,原規劃擴充第六代高頻寬記憶體 HBM4,以承接 AI 晶片需求;但一般型 DRAM 供需轉趨吃緊、利潤率提高,促使公司重新配置產能。此舉有助鞏固獲利,卻可能讓三星電子取得追趕 HBM 市占的機會。
截至 2026 年 7 月 20 日,市場消息指出,SK 海力士將延後 HBM4 量產及產線轉換排程,優先填補一般型 DRAM 缺口;公司尚未公布延後期限、轉移產能規模或投資金額。消息傳出後,台灣記憶體股南亞科、華邦電早盤延續跌勢。
SK 海力士供應 12 層 HBM4E 樣品以加速 AI 晶片創新
高頻寬記憶體(HBM)是 AI 加速器快速存取大量資料的關鍵元件,直接影響模型訓練與推論效率。SK 海力士以 HBM4E 瞄準下一代 AI 資料中心及大規模運算系統,並透過 MR-MUF 封裝改善多層堆疊的散熱、效能與穩定性。
SK 海力士近日宣布,已向主要客戶供應 12 層堆疊 HBM4E 樣品,但未公布客戶名稱、送樣日期及交易金額。新品每個引腳傳輸速率達 16Gbps,能源效率較前代提升逾 20%,公司盼藉客戶驗證加速導入下一代 AI 晶片。
SK 海力士計劃 2034 年前將晶圓產能提高三倍以因應 AI 需求
生成式 AI 與高效能運算快速成長,帶動高頻寬記憶體等產品需求。SK 海力士是全球主要記憶體晶片製造商,晶圓產能攸關供應能力與市場競爭力,此次擴產也反映 AI 基礎設施對先進記憶體的長期需求。
SK 海力士董事長崔泰源表示,公司計劃在 2034 年前將晶圓產能提高至目前三倍,並把韓國龍仁市晶圓廠建設時程提前 10 年。公司也考慮在日本等半導體生態系完整的海外地點增設新廠,目前尚未公布投資金額。
SK 海力士 HBM 機密產線曝光:AI 浪潮下的半導體霸主地位
高頻寬記憶體(HBM)能以高頻寬、低功耗向 AI 加速器供應大量資料,是生成式 AI 算力競賽的關鍵零組件。SK 海力士在記憶體景氣低谷後,靠技術投入及與 Nvidia 的供應合作翻身,成為全球 AI 半導體供應鏈核心廠商。
南韓 KBS 電視台首度獲准進入 SK 海力士 M16 晶圓廠,透過《第一次見到的世界》公開全天 24 小時運轉的 HBM 機密產線與員工作業實況。相關報導未載明播出日期、投資金額及產能數字,但現場畫面顯示公司正全力因應 AI 記憶體需求。
SK 海力士 2025 年研發支出年增 35%,強化 AI 用 HBM 技術領先地位
SK 海力士是全球主要記憶體晶片製造商,高頻寬記憶體(HBM)可加速 AI 晶片處理大量資料,已成為 AI 伺服器的關鍵零組件。隨生成式 AI 基礎設施擴張,HBM 技術與產能也成為記憶體業者競爭核心。
SK 海力士 2025 年全年研發支出達 6.7 兆韓圜,較 2024 年增加 35%,重點投入 AI 用 HBM 技術。公司並獲選為 Nvidia 下一代 Vera Rubin AI 平台供應商,預計供應約三分之二的 HBM4 晶片,進一步鞏固市場地位。
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