中國大廠研發鍵合DRAM與HBM，欲繞過美方EUV限制

美國限制中國取得 EUV 極紫外光微影設備，迫使中國半導體業者以 DUV 深紫外光多重曝光及晶圓鍵合推進製程。長鑫存儲主攻 DRAM、長江存儲深耕 NAND，兩者若縮小與南韓業者的差距，將影響 AI 記憶體供應鏈與全球市場競爭。

最新報導指出，長鑫存儲正秘密研發次世代「鍵合 DRAM」與 HBM，嘗試以 DUV 多重曝光繞過美方 EUV 出口管制；長江存儲的 NAND 專利表現亦被指超越三星。報導估計兩家中國業者與南韓對手的技術差距已縮至約三年，但未揭露研發金額、產品量產日期及報導發布日。