隨著生成式AI與資料中心爆發式成長，高頻寬記憶體（HBM）需求急遽增加。由於晶片利潤極高，半導體大廠三星與SK海力士紛紛將產能轉移至AI專用記憶體，導致一般智慧型手機所需之標準DRAM與NAND快閃記憶體供不應求，使零組件成本敏感的平價手機面臨嚴峻的生存考驗。
根據最新產業調查顯示，受記憶體價格持續上漲衝擊，預估2026年全球售價低於400美元的平價智慧型手機出貨量將年減逾22%。此外，隨著零組件供需失衡加劇，過往市面上常見的100美元以下低階手機，恐將於2026年底前從市場中消失，顯示AI排擠產能效應已實質衝擊大眾消費端。
全部報導
2 篇原始報導馬克翻舊帳
這個事件的歷史脈絡AI需求引爆記憶體漲價潮，百美元平價手機面臨絕版危機
生成式 AI 推升伺服器與資料中心建置需求，帶動高頻寬、高容量記憶體成為晶片業優先投資方向。供應商將產能轉向獲利較高的 AI 產品後，傳統 DRAM 與 NAND 供應趨緊，低價手機因成本敏感，首當其衝。
研究機構 Omdia 近期示警，售價低於 100 美元的智慧型手機，其記憶體成本可能暴增 400%。若漲勢延續，品牌廠恐難以在維持規格與利潤的同時守住百美元門檻，超低價機種可能逐步退場或被迫明顯漲價。
AI 需求爆發導致記憶體荒，供需缺口預計持續至 2027 年
生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，三星電子、SK 海力士與美光將資源轉向高毛利產品，也排擠傳統 DRAM、NAND 供應。HBM 是 AI 加速器關鍵元件，短缺將牽動伺服器交期、電子產品成本及半導體景氣循環。
近期美光財報優於預期，市場並估 SK 海力士營收可望達 548 億美元；三星與 SK 海力士表示，主要記憶體產能已預訂至 2027 年。業界預估即使各廠加速擴建 HBM 產線，2027 年底供需缺口仍約四成，新產能最快要到 2027 年後才可能逐步緩解壓力。
訂閱馬克雷達週報
每週五，本週最強訊號送進收件匣。隨時一鍵退訂。