AI 需求爆發導致記憶體荒，供需缺口預計持續至 2027 年

隨人工智慧產業爆發，高頻寬記憶體（HBM）成為AI晶片關鍵零組件。南韓政府於2026年6月宣布規模達800兆韓元的半導體投資計畫，預計在2030年前將SK海力士與三星的DRAM產能翻倍。作為HBM龍頭的SK海力士，其產能擴增速度攸關全球AI晶片巨頭的供應鏈穩定，也牽動整體半導體產業的供需結構。

美國銀行於2026年7月發布報告指出，受限於技術與建廠瓶頸，SK海力士至2028年的新增記憶體產能恐僅達規劃的六分之一，且新廠全面營運需耗時10年。這使該公司2030年產能翻倍的目標面臨挑戰，不僅直接拖累其轉型HBM等AI關鍵零組件的進度，還面臨價格操縱訴訟，讓記憶體市場供給吃緊的態勢恐將延續。

隨著生成式AI與資料中心需求爆發，高頻寬記憶體（HBM）成為AI晶片不可或缺的關鍵元件。由於其製程複雜且產能消耗大，已嚴重擠壓傳統DRAM產能。這使得全球第二大記憶體晶片廠SK海力士的產能與投資布局，成為牽動全球半導體供應鏈及輝達等科技巨頭AI晶片出貨進度的關鍵風向球。

SK海力士執行長郭魯正於2026年7月示警，預測2027年全球記憶體將面臨史上最嚴重供應短缺，供需吃緊態勢將延續至2030年。為此，該公司於7月13日在美國那斯達克掛牌上市ADR募集265億美元，並已宣布投資40億美元於印第安納州興建先進封裝廠，全力擴大全球產能以因應AI晶片結構性缺口。

隨著生成式AI與資料中心爆發式成長，高頻寬記憶體（HBM）需求急遽增加。由於晶片利潤極高，半導體大廠三星與SK海力士紛紛將產能轉移至AI專用記憶體，導致一般智慧型手機所需之標準DRAM與NAND快閃記憶體供不應求，使零組件成本敏感的平價手機面臨嚴峻的生存考驗。

根據最新產業調查顯示，受記憶體價格持續上漲衝擊，預估2026年全球售價低於400美元的平價智慧型手機出貨量將年減逾22%。此外，隨著零組件供需失衡加劇，過往市面上常見的100美元以下低階手機，恐將於2026年底前從市場中消失，顯示AI排擠產能效應已實質衝擊大眾消費端。

生成式 AI 對算力與資料傳輸需求激增，但晶圓產能、先進封裝及電力供應難以同步擴張，記憶體因而從一般零組件轉為牽動 AI 效能與建置成本的瓶頸。南韓 SK 證券認為，產業評價基準將由景氣循環轉向供給稀缺性與獲利可見度，三星電子、SK 海力士可望受惠。

截至2026年7月20日，SK 證券最新觀點指出，AI 實體產能與電力限制正推升記憶體的策略價值，市場尚未充分反映三星電子與 SK 海力士的長期獲利能力，因此將兩家公司視為 AI 時代估值偏低的標的。相關報導未載明報告發布日、目標價或具體金額，僅強調目前股價遭嚴重低估。

AI資料中心大量採用HBM，促使三星、SK海力士與美光將標準DRAM產能轉向高毛利產品；三家公司掌握逾95%全球DRAM供應，牽動汽車、醫材與消費電子。美國2022年《晶片法案》編列527億美元，原為強化本土半導體製造與研發。

2026年6月3日，NCTA、電信產業協會、汽車創新聯盟及全國零售聯合會等九大公會，致函財政部長貝森特與商務部長盧特尼克。信中警告價格空前上漲、供應減少，要求運用《晶片法案》與貿易協定，在美國及盟國加速擴產並保障非AI產業。

AI 伺服器擴建正推升 HBM、DRAM 與 NAND 需求，伺服器已占全球 DRAM 約五成、NAND 約四成需求。高盛認為，HBM 耗用更多晶圓產能，加上傳統記憶體擴產有限，使這波由 AI 驅動的缺貨與高獲利週期不同於以往。

高盛在 2026 年 6 月 1 日報告中預估，DRAM 供給缺口於 2027 年達 5.9%，缺貨延續至 2028 年；並將三星電子 12 個月目標價上調至 48 萬韓元、SK 海力士至 350 萬韓元，均維持「買進」，聯發科目標價則為新台幣 5,000 元。

生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體（HBM）及 DRAM 需求，記憶體已成 AI 晶片供應鏈的關鍵瓶頸。SK 海力士是 NVIDIA 重要供應商，而台積電負責先進製程與封裝，三方合作將直接影響全球 AI 伺服器產能與成本。

SK 集團會長崔泰源於 2026 年 NVIDIA GTC 大會預測，AI 需求擴張造成的記憶體供應缺口可能延續至 2030 年，並稱台積電是打造 AI 解決方案不可或缺的夥伴。SK 海力士同時籌備 DRAM 價格穩定方案，並評估赴美發行美國存託憑證（ADR），目前尚未公布發行金額與時間表。