高頻寬記憶體（HBM）透過垂直堆疊多層記憶體晶片，為 AI 加速器提供更高頻寬，已成生成式 AI 基礎設施的關鍵零組件。SK 海力士目前著重混合鍵合（Hybrid Bonding），藉由縮短晶片連接距離提升傳輸速度並改善堆疊散熱，攸關其與三星電子、美光的市場競爭。
SK 海力士最新宣布已完成 12 層 HBM 堆疊驗證，並同步強化混合鍵合技術布局，下一階段目標是在 2027 年推動 16 層 HBM 商用化。相較現行 12 層設計，16 層產品可望提高單顆容量與資料處理效能；不過相關報導未揭露正式發表日期、量產時程及投資金額。
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這個事件的歷史脈絡SK 海力士供應 12 層 HBM4E 樣品以加速 AI 晶片創新
高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器快速存取大量資料的關鍵元件，直接影響模型訓練與推論效率。SK 海力士以 HBM4E 瞄準下一代 AI 資料中心及大規模運算系統，並透過 MR-MUF 封裝改善多層堆疊的散熱、效能與穩定性。
SK 海力士近日宣布，已向主要客戶供應 12 層堆疊 HBM4E 樣品，但未公布客戶名稱、送樣日期及交易金額。新品每個引腳傳輸速率達 16Gbps，能源效率較前代提升逾 20%，公司盼藉客戶驗證加速導入下一代 AI 晶片。
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