SK 海力士宣布完成 12 層 HBM 堆疊驗證，並積極布局混合鍵合（Hybrid Bonding）技術以提升數據傳輸速度並降低熱量。該公司目標在 2027 年將 16 層 HBM 產品商用化，以鞏固其在 AI 記憶體市場的競爭優勢。
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這個事件的歷史脈絡SK 海力士供應 12 層 HBM4E 樣品以加速 AI 晶片創新
SK 海力士宣布已向主要客戶提供 12 層堆疊的 HBM4E 記憶體樣品，引腳傳輸速率達 16Gbps，能效比前代提升 20% 以上。該產品採用先進 MR-MUF 封裝技術，旨在解決下一代 AI 資料中心與大規模運算系統的效能瓶頸。
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