SK 海力士供應 12 層 HBM4E 樣品以加速 AI 晶片創新

高頻寬記憶體是 AI 加速器餵送資料的關鍵元件，HBM4E 則是下一代產品。SK 海力士若將底層邏輯晶片導入第二家代工夥伴，可降低先進製程成本與單一供應商風險，也可能改變台積電在其相關訂單中的獨家地位。

最新消息指出，SK 海力士正評估把 HBM4E 底層晶片的部分產能交由英特爾晶圓代工，形成台積電與英特爾並行的雙供應商架構。截至 2026 年 8 月 31 日，相關委託仍屬評估階段，量產時程、製程節點、投片規模與合約金額均未公布。

SK海力士憑藉高頻寬記憶體（HBM）領先優勢，成為AI加速器與資料中心擴建的主要受惠者。HBM、伺服器DRAM及企業級SSD需求，加上記憶體漲價，正推動新一輪超級循環；KB證券估全球科技公司與AI資料中心客戶占第二季營收約70%。

SK海力士7月29日公布2026年第二季營收79.32兆韓圜、營業利益60.54兆韓圜，年增257%與557%，營業利益率76%；淨利93.92兆韓圜、淨利率118%，均創單季新高。不過營收與營益低於14家券商原估的84.1兆與64.1兆韓圜，紀錄財報仍未跨過市場高標。

隨著人工智慧運算需求激增，高頻寬記憶體（HBM）成為決定AI晶片效能的關鍵技術。身為全球半導體巨頭的南韓大廠SK海力士，在與AI晶片龍頭輝達（NVIDIA）的合作中佔據核心地位。最新一代的HBM4技術不僅是AI伺服器的技術指標，更是各大記憶體廠商爭奪市場主導權的決定性戰場，對全球AI產業鏈具有指標性意義。

SK海力士已正式啟動針對輝達下一代AI平台Vera Rubin的12層堆疊HBM4量產出貨。藉由雙方簡化驗證與緊急生產，出貨時程大幅縮短，預計自2026年9月起將顯著擴大規模。市場估算SK海力士有望拿下輝達HBM4約60%至70%的供貨占比，在與三星及美光的全球商業化競爭中持續保持領先地位。

SK 海力士是全球主要記憶體供應商，原規劃擴充第六代高頻寬記憶體 HBM4，以承接 AI 晶片需求；但一般型 DRAM 供需轉趨吃緊、利潤率提高，促使公司重新配置產能。此舉有助鞏固獲利，卻可能讓三星電子取得追趕 HBM 市占的機會。

截至 2026 年 7 月 20 日，市場消息指出，SK 海力士將延後 HBM4 量產及產線轉換排程，優先填補一般型 DRAM 缺口；公司尚未公布延後期限、轉移產能規模或投資金額。消息傳出後，台灣記憶體股南亞科、華邦電早盤延續跌勢。

人工智慧加速器需要在處理器與記憶體間高速傳輸大量資料，HBM因此成為AI晶片供應鏈的關鍵。SK海力士是HBM主要供應商，台積電則掌握先進邏輯製程與封裝；雙方整合記憶體、基板晶片與封裝能力，有助回應雲端業者對客製化AI晶片的需求。

SK集團董事長崔泰源近日在台北與台積電董事長魏哲家會晤，決定擴大HBM4與先進封裝合作。SK海力士將把HBM4基板晶片製程委由台積電代工，強化客製化產品開發；現有資訊未揭露會晤確切日期、投資或合約金額，以及量產時程。

高頻寬記憶體（HBM）能以高頻寬、低功耗向 AI 加速器供應大量資料，是生成式 AI 算力競賽的關鍵零組件。SK 海力士在記憶體景氣低谷後，靠技術投入及與 Nvidia 的供應合作翻身，成為全球 AI 半導體供應鏈核心廠商。

南韓 KBS 電視台首度獲准進入 SK 海力士 M16 晶圓廠，透過《第一次見到的世界》公開全天 24 小時運轉的 HBM 機密產線與員工作業實況。相關報導未載明播出日期、投資金額及產能數字，但現場畫面顯示公司正全力因應 AI 記憶體需求。

高頻寬記憶體（HBM）透過垂直堆疊多層記憶體晶片，為 AI 加速器提供更高頻寬，已成生成式 AI 基礎設施的關鍵零組件。SK 海力士目前著重混合鍵合（Hybrid Bonding），藉由縮短晶片連接距離提升傳輸速度並改善堆疊散熱，攸關其與三星電子、美光的市場競爭。

SK 海力士最新宣布已完成 12 層 HBM 堆疊驗證，並同步強化混合鍵合技術布局，下一階段目標是在 2027 年推動 16 層 HBM 商用化。相較現行 12 層設計，16 層產品可望提高單顆容量與資料處理效能；不過相關報導未揭露正式發表日期、量產時程及投資金額。

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器快速存取資料的關鍵零組件，隨全球資料中心擴建而供不應求。SK 海力士目前掌握約 60% HBM 市場，正以先進封裝與新世代產品鞏固優勢，並與三星電子、美光競逐大型雲端業者訂單。

SK 集團會長崔泰源近日承諾大幅提高 SK 海力士 HBM 產量，並加速最新 HBM4 進入量產，以縮小 AI 晶片供需缺口。他指出新增晶圓產能至少需四年，全球供應吃緊可能延續至 2030 年；相關報導未揭露擴產投資金額與明確投產日期。