SK 海力士供應 12 層 HBM4E 樣品以加速 AI 晶片創新
SK 海力士宣布已向主要客戶提供 12 層堆疊的 HBM4E 記憶體樣品,引腳傳輸速率達 16Gbps,能效比前代提升 20% 以上。該產品採用先進 MR-MUF 封裝技術,旨在解決下一代 AI 資料中心與大規模運算系統的效能瓶頸。
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這個事件的歷史脈絡SK海力士量產12層HBM4,估獲輝達逾六成訂單
隨著人工智慧運算需求激增,高頻寬記憶體(HBM)成為決定AI晶片效能的關鍵技術。身為全球半導體巨頭的南韓大廠SK海力士,在與AI晶片龍頭輝達(NVIDIA)的合作中佔據核心地位。最新一代的HBM4技術不僅是AI伺服器的技術指標,更是各大記憶體廠商爭奪市場主導權的決定性戰場,對全球AI產業鏈具有指標性意義。
SK海力士已正式啟動針對輝達下一代AI平台Vera Rubin的12層堆疊HBM4量產出貨。藉由雙方簡化驗證與緊急生產,出貨時程大幅縮短,預計自2026年9月起將顯著擴大規模。市場估算SK海力士有望拿下輝達HBM4約60%至70%的供貨占比,在與三星及美光的全球商業化競爭中持續保持領先地位。
SK海力士放緩HBM4擴產轉攻一般DRAM市場
記憶體巨頭 SK 海力士決定延後第六代高頻寬記憶體 HBM4 的量產與產線轉換排程,將產能轉向目前供需吃緊且利潤率更高的一般型 DRAM 市場。此策略轉變旨在鞏固公司獲利結構,但同時也為競爭對手三星電子在 HBM 市場創造了追趕的空間。
SK 集團與台積電深化 AI 半導體合作,共同研發下一代 HBM4 技術
SK 集團董事長崔泰源與台積電董事長魏哲家在台北會晤,雙方決定針對下一代高頻寬記憶體(HBM4)及先進封裝技術擴大合作。SK 海力士將把 HBM4 的基板晶片製程委託台積電代工,以應對全球客戶對客製化 AI 記憶體的需求。
SK 海力士 HBM 機密產線曝光:AI 浪潮下的半導體霸主地位
南韓 KBS 電視台歷史性獲准進入 SK 海力士 M16 晶圓廠,揭開 24 小時運轉的高頻寬記憶體(HBM)產線。隨著 AI 需求爆發,海力士憑藉與 Nvidia 的合作關係與技術拚搏,成功從市場低谷翻身成為 AI 產業鏈的核心霸主。
SK 海力士推進 16 層 HBM 商用化與混合鍵合技術
SK 海力士宣布完成 12 層 HBM 堆疊驗證,並積極布局混合鍵合(Hybrid Bonding)技術以提升數據傳輸速度並降低熱量。該公司目標在 2027 年將 16 層 HBM 產品商用化,以鞏固其在 AI 記憶體市場的競爭優勢。
SK 海力士承諾大幅提高 HBM 產量以因應 AI 需求激增
SK 海力士執行長崔泰源承諾將大幅提高高頻寬記憶體(HBM)產量,並加速量產最新一代 HBM4 晶片,以應對全球 AI 資料中心的供應短缺。目前 SK 海力士在 HBM 市場佔有率約 60%,正積極透過產能擴張與技術創新領先三星與美光等競爭對手。
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