高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器高速存取資料的核心元件，隨生成式 AI 運算需求擴張，已成記憶體業者競逐的高成長市場。美光科技目前在 HBM 市占落後三星電子與 SK 海力士，擴大先進產品供應，是縮小差距並深化與輝達合作的關鍵布局。
美光計畫在 2026 年底前，將 HBM 月產能由約 5 萬片倍增至 10 萬片，並把 12 層堆疊 HBM4 的產出占比提高至五成，主要供應輝達新一代 Vera Rubin AI 加速器。這項擴產顯示 AI 記憶體需求依然強勁，也將考驗美光提升良率、量產速度與供貨穩定性的能力。
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這個事件的歷史脈絡美光 HBM4 量產且 2026 產能售罄
HBM 是將多層 DRAM 垂直堆疊的高頻寬記憶體，直接影響 AI 加速器的傳輸速度與耗電。美光科技切入 NVIDIA Vera Rubin 平台，代表其正與 SK hynix、三星電子競逐 AI 資料中心的高價值供應鏈。
美光科技於 2026 年 3 月 16 日宣布，已在第 1 季量產出貨 36GB、12 層 HBM4，且 2026 年多數產能已依定價與數量協議售罄。公司 3 月 18 日公布 FQ2 營收 238.6 億美元、年增 196%，淨利 137.85 億美元，並將全年資本支出上調至逾 250 億美元。
美光推進 HBM4 產能並與台積電合作生產 HBM4E 晶片
高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器提升資料傳輸效率的關鍵元件，隨大型模型運算需求攀升，HBM4 與後續產品成為記憶體業者競爭重點。美光擴大先進封裝與記憶體產能，將直接影響 AI 晶片供應能力及市場版圖。
美光表示，HBM4 擴產進度符合規畫，產能提升速度與良率改善均優於前代產品。公司預計於 2027 年量產 HBM4E，並首度委由台積電以其製程生產基礎晶片；雙方尚未公布合作產能、製程節點與投資金額。
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