AI 瓶頸帶動記憶體價值重估，三星與海力士成低估標的

隨人工智慧產業爆發，高頻寬記憶體（HBM）成為AI晶片關鍵零組件。南韓政府於2026年6月宣布規模達800兆韓元的半導體投資計畫，預計在2030年前將SK海力士與三星的DRAM產能翻倍。作為HBM龍頭的SK海力士，其產能擴增速度攸關全球AI晶片巨頭的供應鏈穩定，也牽動整體半導體產業的供需結構。

美國銀行於2026年7月發布報告指出，受限於技術與建廠瓶頸，SK海力士至2028年的新增記憶體產能恐僅達規劃的六分之一，且新廠全面營運需耗時10年。這使該公司2030年產能翻倍的目標面臨挑戰，不僅直接拖累其轉型HBM等AI關鍵零組件的進度，還面臨價格操縱訴訟，讓記憶體市場供給吃緊的態勢恐將延續。

SK 海力士是韓國主要記憶體製造商，也是輝達（NVIDIA）高頻寬記憶體（HBM）的核心供應商。隨生成式 AI 與高效能運算擴張，HBM 成為 AI 加速器關鍵零組件，市場因此重新評價其成長潛力與產業地位。

截至 2026 年 7 月最新交易，SK 海力士市值突破 1 兆美元，成為亞洲第三家跨越此門檻的企業；公司股價本年迄今已翻倍並創歷史新高，規模直逼三星電子。同期美光（Micron）也跨過 1 兆美元，UBS 更將其目標價上調至 1,525 美元。

生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，三星電子、SK 海力士與美光將資源轉向高毛利產品，也排擠傳統 DRAM、NAND 供應。HBM 是 AI 加速器關鍵元件，短缺將牽動伺服器交期、電子產品成本及半導體景氣循環。

近期美光財報優於預期，市場並估 SK 海力士營收可望達 548 億美元；三星與 SK 海力士表示，主要記憶體產能已預訂至 2027 年。業界預估即使各廠加速擴建 HBM 產線，2027 年底供需缺口仍約四成，新產能最快要到 2027 年後才可能逐步緩解壓力。