三星電子宣布將大幅提升高頻寬記憶體產能,預計讓次世代 HBM4 在整體產量中佔比超過一半,以配合輝達 AI 晶片的發布週期。三星亦首度公開技術藍圖,計畫在未來的 HBM5 世代全面導入 2 奈米先進製程,確保在 AI 硬體供應鏈的競爭力。
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這個事件的歷史脈絡三星 4 奈米良率突破 80% 搶攻 AI 晶片代工
三星晶圓代工的 4 奈米製程良率已超越 80% 門檻,達到與台積電競爭的成熟標準。隨著良率提升,成功吸引 Groq 等 AI 晶片客戶訂單,搭配 HBM4 量產優勢,預期非記憶體事業最快將於下半年轉虧為盈。
SK 海力士承諾大幅提高 HBM 產量以因應 AI 需求激增
SK 海力士執行長崔泰源承諾將大幅提高高頻寬記憶體(HBM)產量,並加速量產最新一代 HBM4 晶片,以應對全球 AI 資料中心的供應短缺。目前 SK 海力士在 HBM 市場佔有率約 60%,正積極透過產能擴張與技術創新領先三星與美光等競爭對手。
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