三星提高 HBM4 產能至總量五成，全力支援輝達次世代 AI 晶片

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器餵送大量資料的關鍵元件，傳輸速度、功耗與客製化能力直接影響運算效能。三星電子同時擁有記憶體與晶圓代工業務，可整合記憶體裸晶、邏輯基礎晶片與先進封裝，藉此縮短協同設計流程，挑戰既有供應商版圖。

三星正開發採 8 層堆疊架構的第七代 HBM4E，鎖定輝達 NVHBM 專案對高速傳輸及客製化設計的需求。若產品通過驗證並按規劃導入，三星有望切入輝達次世代 Rubin Ultra AI 架構的關鍵供應鏈；目前相關報導尚未揭露送樣、量產日期與供應金額。

三星電子正力拚縮小晶圓代工與台積電的差距。4 奈米是 AI 加速器等高效能運算晶片的重要成熟製程，良率直接影響成本、交期與客戶採用意願；跨越 80% 門檻，代表三星已具備承接大型訂單及提高產能利用率的基礎。

最新進展顯示，三星 4 奈米製程良率已突破 80%，並成功吸引美國 AI 晶片業者 Groq 等客戶下單。三星同時布局 HBM4 量產，盼結合晶圓代工與高頻寬記憶體優勢，推動非記憶體事業最快於 2026 年下半年轉虧為盈；相關報導未揭露訂單金額。

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器快速存取資料的關鍵零組件，隨全球資料中心擴建而供不應求。SK 海力士目前掌握約 60% HBM 市場，正以先進封裝與新世代產品鞏固優勢，並與三星電子、美光競逐大型雲端業者訂單。

SK 集團會長崔泰源近日承諾大幅提高 SK 海力士 HBM 產量，並加速最新 HBM4 進入量產，以縮小 AI 晶片供需缺口。他指出新增晶圓產能至少需四年，全球供應吃緊可能延續至 2030 年；相關報導未揭露擴產投資金額與明確投產日期。