英特爾發表 EMIB-T 先進封裝技術提升 AI 處理器效能

隨著人工智慧運算需求激增，先進封裝技術已成為決定高效能AI晶片性能的關鍵戰場。長期以來，台積電憑藉其領先的CoWoS封裝技術，獨佔了絕大多數高階AI晶片的代工市場。為了打破此市場壟斷，半導體巨頭英特爾積極佈局先進封裝領域，將其視為挑戰台積電晶圓代工霸主地位、吸引國際大廠訂單的核心武器。

英特爾在IEEE技術大會上，正式發表新一代EMIB-T先進封裝技術。該技術整合矽穿孔技術，能提供更佳的垂直擴展與供電效能，旨在滿足高效能AI晶片與HBM4E記憶體的嚴苛需求。英特爾計畫於2028年進一步擴展封裝規模，直接挑戰台積電的CoWoS技術，力圖在先進封裝領域實現黃金交叉。

AI 晶片算力提升，促使多顆晶粒整合與高頻寬記憶體需求大增，台積電 CoWoS 長期供不應求。Intel 的 EMIB 以嵌入式矽橋連接晶粒，若能穩定量產，將成為 Google、NVIDIA 分散先進封裝供應風險的重要選項，也攸關 Intel Foundry 的復甦布局。

2026 年 7 月最新市場消息指出，Intel EMIB 封裝良率已達 90%，並正斥資數十億美元擴充產能，以承接台積電 CoWoS 外溢訂單。分析師郭明錤表示，Google 曾評估自行投片；市場亦傳 Google 與 NVIDIA 次世代 AI 晶片可能導入 EMIB，但客戶、訂單金額及量產時程仍待官方確認。