高頻寬記憶體（HBM）是 NVIDIA AI 加速器提升運算效能的關鍵零組件，目前市場由 SK 海力士領先。三星電子力拚以第 7 代 HBM4E 縮小差距，其良率與可靠性將直接影響量產速度及取得 NVIDIA 訂單的能力。
截至 2026 年 7 月 20 日，三星電子表示 HBM4E 可靠性測試良率已突破 70%，逐步逼近成熟量產門檻。三星 CTO 宋在赫並宣示要靠次世代 DRAM 反超對手，但公司尚未公布出貨時程、客戶驗證結果及訂單金額。
全部報導
1 篇原始報導馬克翻舊帳
這個事件的歷史脈絡三星開發 HBM4E 搶攻輝達 NVHBM 專案供應鏈
高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器餵送大量資料的關鍵元件，傳輸速度、功耗與客製化能力直接影響運算效能。三星電子同時擁有記憶體與晶圓代工業務，可整合記憶體裸晶、邏輯基礎晶片與先進封裝，藉此縮短協同設計流程，挑戰既有供應商版圖。
三星正開發採 8 層堆疊架構的第七代 HBM4E，鎖定輝達 NVHBM 專案對高速傳輸及客製化設計的需求。若產品通過驗證並按規劃導入，三星有望切入輝達次世代 Rubin Ultra AI 架構的關鍵供應鏈；目前相關報導尚未揭露送樣、量產日期與供應金額。
訂閱馬克雷達週報
每週五，本週最強訊號送進收件匣。隨時一鍵退訂。