三星開發 HBM4E 搶攻輝達 NVHBM 專案供應鏈

高頻寬記憶體（HBM）是 NVIDIA AI 加速器提升運算效能的關鍵零組件，目前市場由 SK 海力士領先。三星電子力拚以第 7 代 HBM4E 縮小差距，其良率與可靠性將直接影響量產速度及取得 NVIDIA 訂單的能力。

截至 2026 年 7 月 20 日，三星電子表示 HBM4E 可靠性測試良率已突破 70%，逐步逼近成熟量產門檻。三星 CTO 宋在赫並宣示要靠次世代 DRAM 反超對手，但公司尚未公布出貨時程、客戶驗證結果及訂單金額。

高頻寬記憶體（HBM）是輝達 AI 加速器快速處理大量資料的關鍵元件，供應能力直接影響新晶片出貨。三星電子正與 SK 海力士、美光競逐市場，透過提高 HBM4 比重及升級製程，力拚強化其在 AI 硬體供應鏈的地位。

三星電子近日宣布，將配合輝達次世代 AI 晶片發布週期擴充產能，使 HBM4 佔公司整體 HBM 產量逾五成。三星並首度公開後續技術藍圖，規劃在 HBM5 世代全面採用 2 奈米先進製程，但目前尚未公布確切投資金額、量產日期與新增產能規模。