高頻寬記憶體是人工智慧加速器快速交換大量資料的關鍵零組件，先進封裝能力也直接影響供應速度與效能。南韓記憶體大廠 SK 海力士選定美國印第安納州建立 HBM 封裝與測試據點，反映 AI 晶片供應鏈加速在地化，也進一步深化美韓半導體合作。
SK 海力士已為印第安納州先進封裝晶圓廠動工，計畫投資逾 40 億美元，並在美國《晶片法案》政策支持下推進建設。新廠預定於 2029 年下半年量產下一代 HBM，在美國完成封裝與測試後供應當地客戶，成為其擴充 AI 記憶體產能的重要基地。
全部報導
1 篇原始報導馬克翻舊帳
這個事件的歷史脈絡SK 海力士美廠動土 鎖定 AI 記憶體 HBM 預計 2028 年量產
高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器快速存取大量資料的關鍵元件，需求隨生成式 AI 與資料中心投資升溫。韓國記憶體大廠 SK 海力士赴美布局先進封裝，可望強化對輝達等客戶的供應能力，也反映美國透過《晶片法案》推動半導體供應鏈在地化。
SK 海力士將於 8 月 27 日為印第安納州先進封裝廠舉行動土儀式，計畫投資 38.7 億美元，並獲美國《晶片法案》資助。新廠鎖定 AI 應用所需的 HBM，預計 2028 年下半年開始量產，藉此搶攻成長中的 AI 記憶體市場並深化供應鏈合作。
訂閱馬克雷達週報
每週五，本週最強訊號送進收件匣。隨時一鍵退訂。