SK 海力士美廠動土 鎖定 AI 記憶體 HBM 預計 2028 年量產

AI伺服器與資料中心快速擴張，推升高頻寬記憶體（HBM）及企業級NAND需求，也使先進記憶體產能成為AI基礎設施競爭核心。SK海力士身為主要記憶體供應商，這波擴產不僅牽動未來供應與價格，也反映公司認為AI需求已成為長期結構性趨勢。

SK海力士於2026年8月7日表示，董事會核准至2031年投資54.3兆韓元（約384億美元），其中35.2兆韓元投入龍仁Y2廠、19.1兆韓元投入清州M17廠，分別生產HBM等先進DRAM與企業級NAND。兩廠無塵室預計2029年起啟用，龍仁叢集完工目標也由2045年提前至2033年。

SK海力士作為全球AI高頻寬記憶體龍頭，為鞏固技術優勢並籌措約15兆韓圜資金以採購ASML先進晶片設備，決定赴美發行ADR。此舉旨在透過美國資本市場支持其技術擴張，不僅是那斯達克史上最大外資IPO案，目標估值更達290億美元，市場預期此舉將打破傳統半導體晶片的週期循環。

儘管母公司股價面臨波動，SK海力士ADR仍在美獲得超額認購7倍，最終以149美元溢價發行，並於7月13日正式在那斯達克掛牌交易。上市首日開盤隨即飆升至170美元，首日終場大漲13%。這股AI記憶體吸金熱潮，不僅吸引全球投資人關注，更傳出競爭對手三星電子也有意跟進發行ADR。

高頻寬記憶體（HBM）能以高頻寬、低功耗向 AI 加速器供應大量資料，是生成式 AI 算力競賽的關鍵零組件。SK 海力士在記憶體景氣低谷後，靠技術投入及與 Nvidia 的供應合作翻身，成為全球 AI 半導體供應鏈核心廠商。

南韓 KBS 電視台首度獲准進入 SK 海力士 M16 晶圓廠，透過《第一次見到的世界》公開全天 24 小時運轉的 HBM 機密產線與員工作業實況。相關報導未載明播出日期、投資金額及產能數字，但現場畫面顯示公司正全力因應 AI 記憶體需求。

生成式 AI 帶動 GPU 與伺服器需求，高頻寬記憶體（HBM）因能高速傳輸大量資料，已成 AI 加速器關鍵零組件，封裝與測試產能也成為供應瓶頸。SK 海力士為擴大 HBM 供給並串聯清州 M15X 前段製程，決定興建 P&T7，強化 AI 記憶體布局。

SK 海力士於 2026 年 4 月 22 日在南韓忠清北道清州科技城產業園區為 P&T7 動土，總投資 19 兆韓元，占地約 23 萬平方公尺。晶圓測試（WT）產線預計 2027 年 10 月完工，晶圓級封裝（WLP）產線則於 2028 年 2 月完工。

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器快速存取資料的關鍵零組件，隨全球資料中心擴建而供不應求。SK 海力士目前掌握約 60% HBM 市場，正以先進封裝與新世代產品鞏固優勢，並與三星電子、美光競逐大型雲端業者訂單。

SK 集團會長崔泰源近日承諾大幅提高 SK 海力士 HBM 產量，並加速最新 HBM4 進入量產，以縮小 AI 晶片供需缺口。他指出新增晶圓產能至少需四年，全球供應吃緊可能延續至 2030 年；相關報導未揭露擴產投資金額與明確投產日期。