生成式 AI 伺服器快速擴張，推升高頻寬記憶體（HBM）需求。三星等記憶體大廠據傳將逾九成產能轉向 HBM，排擠傳統 DRAM 供給；由於 DRAM 廣泛用於手機與 PC，報價上揚可能進一步墊高整機成本與售價。
市場傳出三星計畫於第三季再調高 DRAM 售價，漲幅最多 20%，若成真將是一年內第三度漲價。瑞銀同步上修報價預估，認為第三季 DRAM 價格將季增 32%、NAND Flash 季增 30%；手機與 PC 品牌廠雖面臨成本壓力，但預期對消費者選購影響有限。
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這個事件的歷史脈絡AI需求引發HBM產能排擠 DRAM價格暴漲逼近黃金
AI伺服器加速器大量採用高頻寬記憶體（HBM），促使三星電子、SK海力士與美光將有限晶圓產能轉向高階產品。HBM每單位容量耗用更多晶圓，使PC、手機及一般伺服器DRAM供給遭排擠，價格因而進入結構性上升循環。
韓國貿易統計振興院（TRASS）8月26日公布，2026年8月1至20日DRAM出口均價達每公斤9萬2,183美元，年增401%，較2023年1月低點7,400美元飆升12.5倍，價值相當於620克黃金。TrendForce估三大廠HBM至2027年底將占30% DRAM晶圓投入；高盛估2027年供給缺口擴至5.9%。
AI 需求排擠產能，消費級 DDR2 記憶體價格將持續攀升
AI 基礎建設快速擴張，推升高頻寬記憶體與先進 DRAM 需求，三星電子、SK hynix 與 Micron 因而將產能資源轉向先進製程，壓縮成熟製程供應。消費級 DRAM 缺貨已延伸至 DDR2，牽動低階消費電子與工控設備的成本及出貨安排。
供應緊張下，品牌廠與 ODM 廠為維持出貨，開始調降部分產品規格並改採舊世代記憶體，卻進一步推高 DDR2 需求。市場預估第三季 DDR2 合約價將較第二季再上漲 35% 至 40%，成熟製程短期內又缺乏新增產能，漲勢可能延續至後續季度。
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