AI需求引發HBM產能排擠 DRAM價格暴漲逼近黃金

過去近20年，記憶體受製程進步與產能擴張帶動，單位成本大致持續下降；但生成式 AI 與 GPU 加速器快速普及，使頻寬更高、堆疊更複雜的 HBM 成為關鍵零組件，也迫使記憶體製造商重新分配 DRAM 產能，改變長期價格走勢。

最近數月，AI 伺服器對 HBM 的需求暴增，全球 DRAM 供需失衡加劇，價格明顯攀升，令記憶體成本回到約 2007 年水準，逆轉近20年的降價趨勢。成本壓力也已由 GPU 與伺服器供應鏈，逐步擴散至智慧型手機和車用電子市場。

生成式 AI 伺服器快速擴張，推升高頻寬記憶體（HBM）需求。三星等記憶體大廠據傳將逾九成產能轉向 HBM，排擠傳統 DRAM 供給；由於 DRAM 廣泛用於手機與 PC，報價上揚可能進一步墊高整機成本與售價。

市場傳出三星計畫於第三季再調高 DRAM 售價，漲幅最多 20%，若成真將是一年內第三度漲價。瑞銀同步上修報價預估，認為第三季 DRAM 價格將季增 32%、NAND Flash 季增 30%；手機與 PC 品牌廠雖面臨成本壓力，但預期對消費者選購影響有限。

生成式 AI 與高效能運算快速擴張，推升 AI 伺服器對高頻寬記憶體（HBM）的需求。由於 HBM 與一般 DRAM 共用部分產能及供應鏈資源，排擠效應也波及 NAND 快閃記憶體，使記憶體市場由短期循環轉向結構性供需失衡。

聯想（Lenovo）近日在國際超級電腦大會警告，記憶體高價可能延續至 2030 年以後，且成本將逐步轉嫁至 PC、智慧型手機等消費電子產品。聯想未公布具體漲幅、金額或生效日期，但認為 AI 伺服器持續搶占 HBM 產能，消費者最終須承擔更高售價。

AI 基礎建設快速擴張，推升高頻寬記憶體與先進 DRAM 需求，三星電子、SK hynix 與 Micron 因而將產能資源轉向先進製程，壓縮成熟製程供應。消費級 DRAM 缺貨已延伸至 DDR2，牽動低階消費電子與工控設備的成本及出貨安排。

供應緊張下，品牌廠與 ODM 廠為維持出貨，開始調降部分產品規格並改採舊世代記憶體，卻進一步推高 DDR2 需求。市場預估第三季 DDR2 合約價將較第二季再上漲 35% 至 40%，成熟製程短期內又缺乏新增產能，漲勢可能延續至後續季度。

AI 熱潮帶動 HBM 需求，但產能排擠與供應吃緊也推升常規 DRAM 報價。Bernstein 指出，常規 DRAM 每晶圓收入已超越 HBM，意味記憶體廠獲利動能正由單一高階產品擴散，臺灣記憶體供應鏈可望同步受惠。

Bernstein 最新預估，DRAM 漲勢與產業暴利週期將延續至 2027 年，記憶體三雄 EPS 也可能在 HBM 漲價推動下於 2027 年見頂、2028 年反轉。價格上揚除改善供應商營收，也將提高 AI 伺服器建置及大模型訓練的硬體成本。

生成式 AI 自 ChatGPT 於 2022 年 12 月推出後快速擴張，帶動高頻寬記憶體（HBM）需求與供給短缺預期。三星電子、SK 海力士等業者因此被視為 AI 基礎建設核心受惠者，但記憶體近似大宗商品，供需失衡時價格與獲利容易由盛轉衰，股價漲勢能否延續備受關注。

截至2026年5月25日，三星電子、SK海力士年初來分別漲114%與186%，Micron也漲141%。BlueBox Asset Management警告榮枯循環；渣打銀行建議部分獲利了結。新廠預計2027年底至2028年量產，Nomura則給出SK海力士400萬韓元、三星59萬韓元的12個月目標價。

生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，三星電子、SK 海力士與美光將資源轉向高毛利產品，也排擠傳統 DRAM、NAND 供應。HBM 是 AI 加速器關鍵元件，短缺將牽動伺服器交期、電子產品成本及半導體景氣循環。

近期美光財報優於預期，市場並估 SK 海力士營收可望達 548 億美元；三星與 SK 海力士表示，主要記憶體產能已預訂至 2027 年。業界預估即使各廠加速擴建 HBM 產線，2027 年底供需缺口仍約四成，新產能最快要到 2027 年後才可能逐步緩解壓力。