AI 需求暴增推高 HBM 價格，記憶體成本重回 2007 年水準

生成式 AI 熱潮帶動資料中心與伺服器擴建，HBM、DRAM 等記憶體需求快速攀升，促使晶片廠優先配置產能給高毛利的企業級產品。這項轉變不只牽動半導體供應鏈，也壓縮手機、消費電子與醫療設備可取得的記憶體數量，推高成本並拉長交期。

IDC 預估，2026 年全球約 70% 的記憶體產出將由 AI 資料中心與伺服器吸收，晶圓產能分配可能因此永久改變。供應排擠正推升智慧型手機平均售價至新高，市場甚至面臨入門手機價格逼近新台幣 1.5 萬元的局面；醫療設備等非資料中心買家也承受漲價與延遲交貨壓力。

生成式 AI 普及與 AI 資料中心擴建，帶動高頻寬記憶體（HBM）需求急升。三星電子、SK hynix 與 Micron 將更多產能轉向 HBM，排擠通用型 DRAM 供給，使市場由價格競爭轉為供不應求，也改變中國記憶體廠的定價空間。

截至2026年7月20日彙整資訊，長鑫存儲的 DRAM 售價已與全球三大廠相差無幾，因而放棄大幅折價搶占市占率，轉向依供需提高報價、追求利潤最大化。報導未揭露各容量產品的實際金額、調價日期及幅度，關鍵訊號是中國供應商的低價策略已明顯轉向。

生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，三星電子、SK 海力士與美光將資源轉向高毛利產品，也排擠傳統 DRAM、NAND 供應。HBM 是 AI 加速器關鍵元件，短缺將牽動伺服器交期、電子產品成本及半導體景氣循環。

近期美光財報優於預期，市場並估 SK 海力士營收可望達 548 億美元；三星與 SK 海力士表示，主要記憶體產能已預訂至 2027 年。業界預估即使各廠加速擴建 HBM 產線，2027 年底供需缺口仍約四成，新產能最快要到 2027 年後才可能逐步緩解壓力。

生成式 AI 推升資料中心算力與記憶體頻寬需求，HBM 因能高速供應 GPU 資料，已成為 AI 伺服器的戰略零組件。全球三大記憶體巨頭將資源轉向 HBM，也使傳統 DRAM、NAND Flash 供給出現空缺，為台灣業者開啟新市場。

近期威剛、群聯、南亞科與華邦電分別透過庫存、控制晶片、DRAM 製程及利基型記憶體布局補位，並搶攻邊緣 AI 儲存需求。相關報導未揭露投資金額、出貨量與確切日期，但指出 AI 算力需求已超越原先預期，全球記憶體供需持續失衡。