生成式 AI 普及與 AI 資料中心擴建，帶動高頻寬記憶體（HBM）需求急升。三星電子、SK hynix 與 Micron 將更多產能轉向 HBM，排擠通用型 DRAM 供給，使市場由價格競爭轉為供不應求，也改變中國記憶體廠的定價空間。
截至2026年7月20日彙整資訊，長鑫存儲的 DRAM 售價已與全球三大廠相差無幾，因而放棄大幅折價搶占市占率，轉向依供需提高報價、追求利潤最大化。報導未揭露各容量產品的實際金額、調價日期及幅度，關鍵訊號是中國供應商的低價策略已明顯轉向。
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這個事件的歷史脈絡全球第4大DRAM廠長鑫存儲啟動科創板IPO
在全球AI浪潮席捲與記憶體算力需求大增的背景下，全球第四大動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫存儲，正式啟動上海證券交易所科創板的首次公開募股（IPO）。長鑫存儲作為中國本土半導體自主化的指標性大廠，在當前美中科技地緣政治角力下，其發展與籌資動向備受全球科技產業與投資市場矚目。
長鑫存儲於2026年7月16日正式發布招股意向書，計劃在上海證券交易所科創板上市，預計募資至少295億元人民幣，成為近年中國規模最大的A股IPO案。此案所得資金將投入DRAM技術研發與產線升級，以因應全球AI熱潮。市場預期該公司將於7月27日正式掛牌，其後續認購表現將是評估半導體產業復甦與投資信心的風向球。
長鑫存儲突破 HBM3 技術，中韓 AI 記憶體差距縮小至三年
高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器提升資料傳輸效率的關鍵零組件，目前市場與先進技術主要由南韓三星電子、SK 海力士及美光掌握。中國在美國先進晶片出口限制下加速建立本土供應鏈，長鑫存儲能否量產 HBM，攸關中國 AI 晶片產業自主化進程。
截至 2026 年 7 月 20 日，市場傳出長鑫存儲已具備 HBM3 生產能力，使中國與三星電子、SK 海力士的 HBM 技術差距縮短至約三年。長鑫存儲並計畫透過首次公開募股（IPO）籌集 40 億美元，用於擴充產能，以承接出口管制下持續增加的中國 AI 晶片需求。
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