AI 需求爆發改變記憶體市場，長鑫存儲放棄低價搶市策略

長鑫存儲是中國推動半導體自主化的重要 DRAM 業者，其發展攸關中國能否降低對三星電子、美光等海外供應商的依賴。生成式 AI 帶動伺服器記憶體需求升溫，也讓 HBM 與 DDR5 成為資料中心擴建的關鍵零組件，為本土供應商創造切入商業市場的機會。

摩根士丹利最新報告指出，中國本土 AI 伺服器與基礎設施需求強勁，正帶動長鑫存儲的 HBM 與 DDR5 出貨，產品可望逐步走向主流。儘管其 DRAM 製程技術仍落後三星與美光約兩個世代，但持續擴充產能並打入商業應用，顯示客戶採用範圍正在擴大。

長鑫科技是中國主要記憶體晶片業者，核心產品涵蓋 DRAM，並布局 AI 伺服器需求快速增長的 HBM。隨生成式 AI 推升高頻寬記憶體用量，投資人加碼半導體供應鏈，使記憶體技術成為中國科技自主與資本市場的新焦點。

長鑫科技掛牌約半個月後，股價已較上市初期暴漲逾 500%，市值並超越網路巨擘騰訊，躍居中國市值最高企業。這波漲勢反映資金快速轉向 AI 晶片題材，但短期估值急升，也使市場更加關注其 DRAM、HBM 量產能力與後續獲利表現。

過去近20年，記憶體受製程進步與產能擴張帶動，單位成本大致持續下降；但生成式 AI 與 GPU 加速器快速普及，使頻寬更高、堆疊更複雜的 HBM 成為關鍵零組件，也迫使記憶體製造商重新分配 DRAM 產能，改變長期價格走勢。

最近數月，AI 伺服器對 HBM 的需求暴增，全球 DRAM 供需失衡加劇，價格明顯攀升，令記憶體成本回到約 2007 年水準，逆轉近20年的降價趨勢。成本壓力也已由 GPU 與伺服器供應鏈，逐步擴散至智慧型手機和車用電子市場。

長鑫科技（CXMT）是中國最大DRAM製造商，也是北京在美國出口管制下推動半導體自主的關鍵企業。AI伺服器帶動DRAM與HBM需求，讓其擴產能力牽動全球記憶體價格，也使美光、SK海力士及設備龍頭ASML面臨新的中國競爭風險。

2026年7月27日，長鑫科技在上海科創板上市，發行價每股8.66元人民幣，募資579.2億元；收盤報49元、飆升466%，市值達3.3兆元。The Information同日報導，中國企業已小量量產浸潤式DUV設備，規劃2026年生產5台、2027年20台；美股輝達跌5%、美光跌2.3%，ASML跌5.8%。

長鑫存儲是中國主要 DRAM 記憶體晶片製造商，近年在本土半導體自主化政策下擴大布局。生成式 AI 帶動資料中心對高容量記憶體的需求，也讓中國科技業者加速採用本土供應，為長鑫存儲縮小與美光等國際大廠的差距創造關鍵窗口。

據報導，長鑫存儲第一季營收年增 719%，並在六個月內彌補過去十年的累計虧損。公司已與字節跳動及騰訊簽署總額逾 100 億美元的供貨協議，接下來將積極擴充產能，目標於 2030 年在產能規模上超越美光。

在全球AI浪潮席捲與記憶體算力需求大增的背景下，全球第四大動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商長鑫存儲，正式啟動上海證券交易所科創板的首次公開募股（IPO）。長鑫存儲作為中國本土半導體自主化的指標性大廠，在當前美中科技地緣政治角力下，其發展與籌資動向備受全球科技產業與投資市場矚目。

長鑫存儲於2026年7月16日正式發布招股意向書，計劃在上海證券交易所科創板上市，預計募資至少295億元人民幣，成為近年中國規模最大的A股IPO案。此案所得資金將投入DRAM技術研發與產線升級，以因應全球AI熱潮。市場預期該公司將於7月27日正式掛牌，其後續認購表現將是評估半導體產業復甦與投資信心的風向球。

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器提升資料傳輸效率的關鍵零組件，目前市場與先進技術主要由南韓三星電子、SK 海力士及美光掌握。中國在美國先進晶片出口限制下加速建立本土供應鏈，長鑫存儲能否量產 HBM，攸關中國 AI 晶片產業自主化進程。

截至 2026 年 7 月 20 日，市場傳出長鑫存儲已具備 HBM3 生產能力，使中國與三星電子、SK 海力士的 HBM 技術差距縮短至約三年。長鑫存儲並計畫透過首次公開募股（IPO）籌集 40 億美元，用於擴充產能，以承接出口管制下持續增加的中國 AI 晶片需求。