高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器提升資料傳輸效率的關鍵零組件，目前市場與先進技術主要由南韓三星電子、SK 海力士及美光掌握。中國在美國先進晶片出口限制下加速建立本土供應鏈，長鑫存儲能否量產 HBM，攸關中國 AI 晶片產業自主化進程。
截至 2026 年 7 月 20 日，市場傳出長鑫存儲已具備 HBM3 生產能力，使中國與三星電子、SK 海力士的 HBM 技術差距縮短至約三年。長鑫存儲並計畫透過首次公開募股（IPO）籌集 40 億美元，用於擴充產能，以承接出口管制下持續增加的中國 AI 晶片需求。
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這個事件的歷史脈絡AI 需求爆發改變記憶體市場，長鑫存儲放棄低價搶市策略
生成式 AI 普及與 AI 資料中心擴建，帶動高頻寬記憶體（HBM）需求急升。三星電子、SK hynix 與 Micron 將更多產能轉向 HBM，排擠通用型 DRAM 供給，使市場由價格競爭轉為供不應求，也改變中國記憶體廠的定價空間。
截至2026年7月20日彙整資訊，長鑫存儲的 DRAM 售價已與全球三大廠相差無幾，因而放棄大幅折價搶占市占率，轉向依供需提高報價、追求利潤最大化。報導未揭露各容量產品的實際金額、調價日期及幅度，關鍵訊號是中國供應商的低價策略已明顯轉向。
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