長鑫科技市值超越騰訊，AI記憶體晶片狂飆登中國股王

長鑫科技（CXMT）是中國最大DRAM製造商，也是北京在美國出口管制下推動半導體自主的關鍵企業。AI伺服器帶動DRAM與HBM需求，讓其擴產能力牽動全球記憶體價格，也使美光、SK海力士及設備龍頭ASML面臨新的中國競爭風險。

2026年7月27日，長鑫科技在上海科創板上市，發行價每股8.66元人民幣，募資579.2億元；收盤報49元、飆升466%，市值達3.3兆元。The Information同日報導，中國企業已小量量產浸潤式DUV設備，規劃2026年生產5台、2027年20台；美股輝達跌5%、美光跌2.3%，ASML跌5.8%。

長鑫存儲是中國主要 DRAM 記憶體晶片製造商，近年在本土半導體自主化政策下擴大布局。生成式 AI 帶動資料中心對高容量記憶體的需求，也讓中國科技業者加速採用本土供應，為長鑫存儲縮小與美光等國際大廠的差距創造關鍵窗口。

據報導，長鑫存儲第一季營收年增 719%，並在六個月內彌補過去十年的累計虧損。公司已與字節跳動及騰訊簽署總額逾 100 億美元的供貨協議，接下來將積極擴充產能，目標於 2030 年在產能規模上超越美光。

生成式 AI 普及與 AI 資料中心擴建，帶動高頻寬記憶體（HBM）需求急升。三星電子、SK hynix 與 Micron 將更多產能轉向 HBM，排擠通用型 DRAM 供給，使市場由價格競爭轉為供不應求，也改變中國記憶體廠的定價空間。

截至2026年7月20日彙整資訊，長鑫存儲的 DRAM 售價已與全球三大廠相差無幾，因而放棄大幅折價搶占市占率，轉向依供需提高報價、追求利潤最大化。報導未揭露各容量產品的實際金額、調價日期及幅度，關鍵訊號是中國供應商的低價策略已明顯轉向。

長鑫存儲成立於2016年，是中國推動DRAM自主化的代表廠商。隨著AI伺服器與雲端資料中心擴建，三星電子、SK海力士及美光將更多產能轉向HBM，傳統DRAM供給趨緊；騰訊以長約鎖定上游供應，也凸顯中國科技業降低海外晶片依賴的需求。

2026年6月30日報導指出，長鑫存儲已與騰訊控股簽署逾200億元人民幣、約29.4億美元的長期供貨協議，合約期約3至5年，主要支應伺服器DRAM需求。雙方尚未公布確切簽約日與產品規格，此案亦成為長鑫存儲籌備上海科創板IPO之際的重要訂單。

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器提升資料傳輸效率的關鍵零組件，目前市場與先進技術主要由南韓三星電子、SK 海力士及美光掌握。中國在美國先進晶片出口限制下加速建立本土供應鏈，長鑫存儲能否量產 HBM，攸關中國 AI 晶片產業自主化進程。

截至 2026 年 7 月 20 日，市場傳出長鑫存儲已具備 HBM3 生產能力，使中國與三星電子、SK 海力士的 HBM 技術差距縮短至約三年。長鑫存儲並計畫透過首次公開募股（IPO）籌集 40 億美元，用於擴充產能，以承接出口管制下持續增加的中國 AI 晶片需求。