SK海力士因應AI記憶體需求 評估赴日興建晶圓廠

SK 海力士是全球主要記憶體晶片製造商，生產布局長期以韓國為核心。若赴日本宮城縣設立晶圓廠，不僅將成為首家在日本設置生產據點的韓國半導體企業，也反映日韓供應鏈合作升溫，以及各國爭取先進晶片投資的競爭持續加劇。

韓國媒體報導，SK 海力士正研議斥資數十兆韓圜，在宮城縣興建記憶體晶圓廠，但尚未公布選址細節、產能規模或投產時程。SK 海力士相關人士截至2026年8月21日表示，公司目前尚未作出任何決定，意味投資案仍處於評估階段。

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器快速存取大量資料的關鍵元件，需求隨生成式 AI 與資料中心投資升溫。韓國記憶體大廠 SK 海力士赴美布局先進封裝，可望強化對輝達等客戶的供應能力，也反映美國透過《晶片法案》推動半導體供應鏈在地化。

SK 海力士將於 8 月 27 日為印第安納州先進封裝廠舉行動土儀式，計畫投資 38.7 億美元，並獲美國《晶片法案》資助。新廠鎖定 AI 應用所需的 HBM，預計 2028 年下半年開始量產，藉此搶攻成長中的 AI 記憶體市場並深化供應鏈合作。

AI伺服器與資料中心快速擴張，推升高頻寬記憶體（HBM）及企業級NAND需求，也使先進記憶體產能成為AI基礎設施競爭核心。SK海力士身為主要記憶體供應商，這波擴產不僅牽動未來供應與價格，也反映公司認為AI需求已成為長期結構性趨勢。

SK海力士於2026年8月7日表示，董事會核准至2031年投資54.3兆韓元（約384億美元），其中35.2兆韓元投入龍仁Y2廠、19.1兆韓元投入清州M17廠，分別生產HBM等先進DRAM與企業級NAND。兩廠無塵室預計2029年起啟用，龍仁叢集完工目標也由2045年提前至2033年。