SK 集團與台積電深化 AI 半導體合作，共同研發下一代 HBM4 技術

SK 海力士宣布已向主要客戶提供 12 層堆疊的 HBM4E 記憶體樣品，引腳傳輸速率達 16Gbps，能效比前代提升 20% 以上。該產品採用先進 MR-MUF 封裝技術，旨在解決下一代 AI 資料中心與大規模運算系統的效能瓶頸。

輝達與 SK 海力士宣布達成多年合作協議，將共同開發 AI 工廠所需的次世代記憶體，並加速半導體設計與製造流程。雙方將針對 NVIDIA Vera Rubin 等頂尖硬體開發專屬記憶體，並透過導入 AI 技術與數位孿生技術，全面提升製造效率與決策品質。

南韓 KBS 電視台歷史性獲准進入 SK 海力士 M16 晶圓廠，揭開 24 小時運轉的高頻寬記憶體（HBM）產線。隨著 AI 需求爆發，海力士憑藉與 Nvidia 的合作關係與技術拚搏，成功從市場低谷翻身成為 AI 產業鏈的核心霸主。

SK 海力士執行長崔泰源承諾將大幅提高高頻寬記憶體（HBM）產量，並加速量產最新一代 HBM4 晶片，以應對全球 AI 資料中心的供應短缺。目前 SK 海力士在 HBM 市場佔有率約 60%，正積極透過產能擴張與技術創新領先三星與美光等競爭對手。