SK海力士示警2027年面臨史上最嚴重AI記憶體供應短缺

隨人工智慧產業爆發，高頻寬記憶體（HBM）成為AI晶片關鍵零組件。南韓政府於2026年6月宣布規模達800兆韓元的半導體投資計畫，預計在2030年前將SK海力士與三星的DRAM產能翻倍。作為HBM龍頭的SK海力士，其產能擴增速度攸關全球AI晶片巨頭的供應鏈穩定，也牽動整體半導體產業的供需結構。

美國銀行於2026年7月發布報告指出，受限於技術與建廠瓶頸，SK海力士至2028年的新增記憶體產能恐僅達規劃的六分之一，且新廠全面營運需耗時10年。這使該公司2030年產能翻倍的目標面臨挑戰，不僅直接拖累其轉型HBM等AI關鍵零組件的進度，還面臨價格操縱訴訟，讓記憶體市場供給吃緊的態勢恐將延續。

生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，三星電子、SK 海力士與美光將資源轉向高毛利產品，也排擠傳統 DRAM、NAND 供應。HBM 是 AI 加速器關鍵元件，短缺將牽動伺服器交期、電子產品成本及半導體景氣循環。

近期美光財報優於預期，市場並估 SK 海力士營收可望達 548 億美元；三星與 SK 海力士表示，主要記憶體產能已預訂至 2027 年。業界預估即使各廠加速擴建 HBM 產線，2027 年底供需缺口仍約四成，新產能最快要到 2027 年後才可能逐步緩解壓力。

生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體（HBM）及 DRAM 需求，記憶體已成 AI 晶片供應鏈的關鍵瓶頸。SK 海力士是 NVIDIA 重要供應商，而台積電負責先進製程與封裝，三方合作將直接影響全球 AI 伺服器產能與成本。

SK 集團會長崔泰源於 2026 年 NVIDIA GTC 大會預測，AI 需求擴張造成的記憶體供應缺口可能延續至 2030 年，並稱台積電是打造 AI 解決方案不可或缺的夥伴。SK 海力士同時籌備 DRAM 價格穩定方案，並評估赴美發行美國存託憑證（ADR），目前尚未公布發行金額與時間表。