SK 集團於 GTC 2026 預測 AI 記憶體供應短缺將持續至 2030 年

隨著生成式AI與資料中心需求爆發，高頻寬記憶體（HBM）成為AI晶片不可或缺的關鍵元件。由於其製程複雜且產能消耗大，已嚴重擠壓傳統DRAM產能。這使得全球第二大記憶體晶片廠SK海力士的產能與投資布局，成為牽動全球半導體供應鏈及輝達等科技巨頭AI晶片出貨進度的關鍵風向球。

SK海力士執行長郭魯正於2026年7月示警，預測2027年全球記憶體將面臨史上最嚴重供應短缺，供需吃緊態勢將延續至2030年。為此，該公司於7月13日在美國那斯達克掛牌上市ADR募集265億美元，並已宣布投資40億美元於印第安納州興建先進封裝廠，全力擴大全球產能以因應AI晶片結構性缺口。

AI 伺服器擴建正推升 HBM、DRAM 與 NAND 需求，伺服器已占全球 DRAM 約五成、NAND 約四成需求。高盛認為，HBM 耗用更多晶圓產能，加上傳統記憶體擴產有限，使這波由 AI 驅動的缺貨與高獲利週期不同於以往。

高盛在 2026 年 6 月 1 日報告中預估，DRAM 供給缺口於 2027 年達 5.9%，缺貨延續至 2028 年；並將三星電子 12 個月目標價上調至 48 萬韓元、SK 海力士至 350 萬韓元，均維持「買進」，聯發科目標價則為新台幣 5,000 元。

生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，三星電子、SK 海力士與美光將資源轉向高毛利產品，也排擠傳統 DRAM、NAND 供應。HBM 是 AI 加速器關鍵元件，短缺將牽動伺服器交期、電子產品成本及半導體景氣循環。

近期美光財報優於預期，市場並估 SK 海力士營收可望達 548 億美元；三星與 SK 海力士表示，主要記憶體產能已預訂至 2027 年。業界預估即使各廠加速擴建 HBM 產線，2027 年底供需缺口仍約四成，新產能最快要到 2027 年後才可能逐步緩解壓力。