英特爾 EMIB 技術挑戰台積電 CoWoS，爭奪 AI 光學互連與 CPO 市場優勢

生成式 AI 帶動高效能運算需求，先進封裝已成為 AI 晶片擴充運算與記憶體頻寬的關鍵。台積電 CoWoS 長期居市場主導地位，但產能供不應求，促使 Google 等雲端服務商為自研加速器尋找替代方案，英特爾 EMIB 因而成為受矚目的競爭技術。

最新供應鏈消息顯示，Google 的 TPU 已導入英特爾 EMIB 先進封裝，並完成良率驗證，顯示該技術具備承接大型 AI 晶片量產的潛力。Google 的 ASIC 設計夥伴聯發科也因此加快多元封裝布局；在 CoWoS 產能持續吃緊之際，EMIB 正取得雲端業者自研晶片的新訂單機會。

先進封裝可將運算晶粒與高頻寬記憶體整合，是 AI 加速器效能與供應能力的關鍵。英特爾以 EMIB-T 作為擴大晶圓代工與封裝業務的重要技術，瞄準台積電主導的市場；在 CoWoS 產能持續吃緊之際，替代方案能否成熟，將影響 AI 晶片客戶的成本、交期與供應鏈選擇。

最新報導指出，英特爾 EMIB-T 封裝良率已逼近 90%，成本約為台積電 CoWoS 方案的一半，商業化進度因而受到市場關注。公司預計於 2027 年投入量產，鎖定對成本較敏感的 AI 晶片客戶；若良率與成本優勢能在大規模生產中維持，將提高其爭取外部訂單、挑戰台積電先進封裝地位的機會。

隨著人工智慧運算需求激增，先進封裝技術已成為決定高效能AI晶片性能的關鍵戰場。長期以來，台積電憑藉其領先的CoWoS封裝技術，獨佔了絕大多數高階AI晶片的代工市場。為了打破此市場壟斷，半導體巨頭英特爾積極佈局先進封裝領域，將其視為挑戰台積電晶圓代工霸主地位、吸引國際大廠訂單的核心武器。

英特爾在IEEE技術大會上，正式發表新一代EMIB-T先進封裝技術。該技術整合矽穿孔技術，能提供更佳的垂直擴展與供電效能，旨在滿足高效能AI晶片與HBM4E記憶體的嚴苛需求。英特爾計畫於2028年進一步擴展封裝規模，直接挑戰台積電的CoWoS技術，力圖在先進封裝領域實現黃金交叉。