李長榮先進材料發表濕式解方 助攻 AI 晶片先進封裝

AI 晶片與高頻寬記憶體（HBM）推升先進封裝密度，晶片互連尺寸持續微縮，也讓狹窄間隙的蝕刻與殘留物清洗更困難。濕式化學製程若無法兼顧精度、潔淨度與材料相容性，可能直接影響封裝良率及量產穩定性。

李長榮先進材料在 SEMICON Taiwan 發表面向高密度互連的濕式化學解決方案，涵蓋多功能蝕刻液及微細結構清洗技術。公司表示，方案已突破 10 微米互連製程限制，並將良率提升至 99%，鎖定 AI 晶片與 HBM 先進封裝需求。