力積電打入英特爾 EMIB 供應鏈，布局 AI 先進封裝市場

生成式 AI 帶動高效能運算需求，先進封裝已成為 AI 晶片擴充運算與記憶體頻寬的關鍵。台積電 CoWoS 長期居市場主導地位，但產能供不應求，促使 Google 等雲端服務商為自研加速器尋找替代方案，英特爾 EMIB 因而成為受矚目的競爭技術。

最新供應鏈消息顯示，Google 的 TPU 已導入英特爾 EMIB 先進封裝，並完成良率驗證，顯示該技術具備承接大型 AI 晶片量產的潛力。Google 的 ASIC 設計夥伴聯發科也因此加快多元封裝布局；在 CoWoS 產能持續吃緊之際，EMIB 正取得雲端業者自研晶片的新訂單機會。

英特爾（Intel）以 EMIB 橋接式封裝切入客製化 AI 晶片市場，傳出取得蘋果（Apple）與 Google 訂單，對長期主導先進製程與 CoWoS 封裝的台積電形成壓力。CoWoS 供給吃緊及架構彈性有限，也使大型科技客戶尋求替代方案，牽動 AI 加速器供應鏈版圖。

據最新報導，台積電正與 IC 載板廠景碩科技（3189）祕密研發「類 EMIB」先進封裝，意在突破 CoWoS 的產能與設計限制，守住客製 AI 處理器訂單。截至 2026 年 7 月 31 日，雙方尚未正式證實合作，也未披露投資金額、技術定名、量產時程或客戶承諾。

隨著人工智慧運算需求激增，先進封裝技術已成為決定高效能AI晶片性能的關鍵戰場。長期以來，台積電憑藉其領先的CoWoS封裝技術，獨佔了絕大多數高階AI晶片的代工市場。為了打破此市場壟斷，半導體巨頭英特爾積極佈局先進封裝領域，將其視為挑戰台積電晶圓代工霸主地位、吸引國際大廠訂單的核心武器。

英特爾在IEEE技術大會上，正式發表新一代EMIB-T先進封裝技術。該技術整合矽穿孔技術，能提供更佳的垂直擴展與供電效能，旨在滿足高效能AI晶片與HBM4E記憶體的嚴苛需求。英特爾計畫於2028年進一步擴展封裝規模，直接挑戰台積電的CoWoS技術，力圖在先進封裝領域實現黃金交叉。

AI 晶片算力提升，促使多顆晶粒整合與高頻寬記憶體需求大增，台積電 CoWoS 長期供不應求。Intel 的 EMIB 以嵌入式矽橋連接晶粒，若能穩定量產，將成為 Google、NVIDIA 分散先進封裝供應風險的重要選項，也攸關 Intel Foundry 的復甦布局。

2026 年 7 月最新市場消息指出，Intel EMIB 封裝良率已達 90%，並正斥資數十億美元擴充產能，以承接台積電 CoWoS 外溢訂單。分析師郭明錤表示，Google 曾評估自行投片；市場亦傳 Google 與 NVIDIA 次世代 AI 晶片可能導入 EMIB，但客戶、訂單金額及量產時程仍待官方確認。

SK 海力士是全球高頻寬記憶體（HBM）主要供應商，AI 加速器須透過 2.5D 先進封裝整合 HBM 與邏輯晶片。目前市場高度依賴台積電 CoWoS，但產能吃緊已成為 AI 晶片出貨瓶頸，因此導入第二供應來源攸關供應鏈韌性。

截至 2026 年 7 月 20 日，市場傳出 SK 海力士正與英特爾合作測試 EMIB，利用嵌入式橋接技術連接 HBM 與邏輯晶片，以降低對台積電 CoWoS 的依賴。雙方尚未公布合作金額、測試批次及量產日期，現階段仍屬技術驗證。