高盛看好 AI 帶動記憶體晶片缺貨至 2028 年,上調三星與 SK 海力士目標價
AI 伺服器擴建正推升 HBM、DRAM 與 NAND 需求,伺服器已占全球 DRAM 約五成、NAND 約四成需求。高盛認為,HBM 耗用更多晶圓產能,加上傳統記憶體擴產有限,使這波由 AI 驅動的缺貨與高獲利週期不同於以往。
高盛在 2026 年 6 月 1 日報告中預估,DRAM 供給缺口於 2027 年達 5.9%,缺貨延續至 2028 年;並將三星電子 12 個月目標價上調至 48 萬韓元、SK 海力士至 350 萬韓元,均維持「買進」,聯發科目標價則為新台幣 5,000 元。
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這個事件的歷史脈絡高盛調高鎧俠目標價:AI 推升儲存需求導致 NAND 缺貨至 2028 年
鎧俠是日本主要 NAND 快閃記憶體製造商,其產品廣泛用於資料中心與企業級 SSD。生成式 AI 帶動高效能儲存需求,但記憶體業者將資本支出優先配置至 DRAM,使 NAND 新增產能受限,供需缺口因而成為影響價格與鎧俠獲利的重要因素。
高盛近期二度調高鎧俠目標價至每股 11.6 萬日圓,並維持「買進」評級。報告預估,AI 資料中心對企業級 SSD 的需求持續擴張,NAND 缺貨與漲價週期可能延續至 2027 年底,供應吃緊情況甚至要到 2028 年才有機會緩解。
AI 需求爆發導致記憶體荒,供需缺口預計持續至 2027 年
生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體(HBM)需求,三星電子、SK 海力士與美光將資源轉向高毛利產品,也排擠傳統 DRAM、NAND 供應。HBM 是 AI 加速器關鍵元件,短缺將牽動伺服器交期、電子產品成本及半導體景氣循環。
近期美光財報優於預期,市場並估 SK 海力士營收可望達 548 億美元;三星與 SK 海力士表示,主要記憶體產能已預訂至 2027 年。業界預估即使各廠加速擴建 HBM 產線,2027 年底供需缺口仍約四成,新產能最快要到 2027 年後才可能逐步緩解壓力。
SK 集團於 GTC 2026 預測 AI 記憶體供應短缺將持續至 2030 年
生成式 AI 與資料中心建置潮推升高頻寬記憶體(HBM)及 DRAM 需求,記憶體已成 AI 晶片供應鏈的關鍵瓶頸。SK 海力士是 NVIDIA 重要供應商,而台積電負責先進製程與封裝,三方合作將直接影響全球 AI 伺服器產能與成本。
SK 集團會長崔泰源於 2026 年 NVIDIA GTC 大會預測,AI 需求擴張造成的記憶體供應缺口可能延續至 2030 年,並稱台積電是打造 AI 解決方案不可或缺的夥伴。SK 海力士同時籌備 DRAM 價格穩定方案,並評估赴美發行美國存託憑證(ADR),目前尚未公布發行金額與時間表。
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