三星滿載4奈米半數產能，全力生產HBM4基礎晶片供應AI市場

高頻寬記憶體（HBM）是 AI 加速器餵送大量資料的關鍵元件，傳輸速度、功耗與客製化能力直接影響運算效能。三星電子同時擁有記憶體與晶圓代工業務，可整合記憶體裸晶、邏輯基礎晶片與先進封裝，藉此縮短協同設計流程，挑戰既有供應商版圖。

三星正開發採 8 層堆疊架構的第七代 HBM4E，鎖定輝達 NVHBM 專案對高速傳輸及客製化設計的需求。若產品通過驗證並按規劃導入，三星有望切入輝達次世代 Rubin Ultra AI 架構的關鍵供應鏈；目前相關報導尚未揭露送樣、量產日期與供應金額。

三星電子正力拚縮小晶圓代工與台積電的差距。4 奈米是 AI 加速器等高效能運算晶片的重要成熟製程，良率直接影響成本、交期與客戶採用意願；跨越 80% 門檻，代表三星已具備承接大型訂單及提高產能利用率的基礎。

最新進展顯示，三星 4 奈米製程良率已突破 80%，並成功吸引美國 AI 晶片業者 Groq 等客戶下單。三星同時布局 HBM4 量產，盼結合晶圓代工與高頻寬記憶體優勢，推動非記憶體事業最快於 2026 年下半年轉虧為盈；相關報導未揭露訂單金額。

高頻寬記憶體（HBM）是輝達 AI 加速器快速處理大量資料的關鍵元件，供應能力直接影響新晶片出貨。三星電子正與 SK 海力士、美光競逐市場，透過提高 HBM4 比重及升級製程，力拚強化其在 AI 硬體供應鏈的地位。

三星電子近日宣布，將配合輝達次世代 AI 晶片發布週期擴充產能，使 HBM4 佔公司整體 HBM 產量逾五成。三星並首度公開後續技術藍圖，規劃在 HBM5 世代全面採用 2 奈米先進製程，但目前尚未公布確切投資金額、量產日期與新增產能規模。